AZ NLOF 5510 Fotolack - 3.785 l

AZ® 15nXT (115CPS) Dickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 15nXT (115CPS) für 3 - 6 µm Resist Filmdicke (i-line) Das AZ® 15nXT (115CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 6 µm, mit einer Resist Schichtdicke von 3,5 µm bei 4000 U/min. Sein Vernetzungscharakter und seine sehr gute Resist Haftung machen es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 6 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. 5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm plattiertes CuNi-Bild. 3.6 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 3 - 6 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, .. Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, .. Standard-Nassentschichtungsverfahren Nahezu vertikale Seitenwandwinkel Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien kann eine Erhitzung dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 15nXT (450CPS) Dickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen. 5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm plattiertes CuNi-Bild. 3.6 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, .. Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, .. Standard-Nassentschichtungsverfahren Nahezu vertikale Seitenwandwinkel Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 125nXT-10B Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line) Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden. 20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke. 15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke. 80 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF) Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, kein Underplating Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316) Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07. Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2020 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2035 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.* Produkteigenschaften AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2070 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2070 - verdünnt 1:1,33 - 0,50 µm-grade (e-beam) Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Filmdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. Produkt-Eigenschaften AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 rpm i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2070 E-beam englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung