AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® nLOF 2070 is the industrial standard resist for lift off applications with high reproducibility and yield.
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Produktnummer:
1A002070
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l"
AZ® nLOF 2070
Negativlack für Lift-off-Anwendungen
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® nLOF 2070 ist mit ca. 5 - 10 µm Lackschichtdicke der dickste Vertreter der vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierten AZ® nLOF 2000er Serie.
Ein ausgepärgter Unterschnitt mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm.
Produkteigenschaften
Der AZ® nLOF 2070 deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, ausgeprägt negativ, da die oberen Lackbereiche beim Belichten eine wesentlich höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Über eine geringere Lichtdosis, in Verbindung mit einem etwas heißeren Post Exposure Bake, lässt sich dieser Unterschnitt auch sehr deutlich erhöhen, um auch kritischere Lift-off Anwendungen (gesputterte oder dickere Schichten) zu ermöglichen. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® nLOF 2070 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt oder der AZ® nLOF 2035 oder noch dünnere AZ® nLOF 2020 eingesetzt werden, beide unterscheiden sich untereinander nur im Lösemittelanteil.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® nLOF 2070 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® nLOF 2070 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Removers
Falls die Lackstrukturen durch z. B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® nLOF 2070 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Information AZ® nLOF2000 Serie englisch
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Dicker Negativlack für die Galvanik
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (115CPS) ist mit ca. 3 - 5 µm ein Dicklack mit sehr steilen Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik.
5 µm lines at 10 µm resist film thickness.
5 µm holes at 10 µm resist film thickness.
5 µm plated CuNi image.
3.6 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der AZ® 15nXT (115CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 2 - 3 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern sehr senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (115CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden, für dickere Schichten empfiehlt sich der höher viskose AZ® 15nXT (450CPS). Der AZ® 15nXT (115CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (115CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (115CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (115CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 15nXT Photoresist (450cps) - 3.785 l
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AZ® 15nXT (450CPS)
Negativ Dicklack für die Galvanik
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (450CPS) ist mit ca. 5 - 10 µm ein Dicklack mit senkrechten Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik.
5 µm lines at 10 µm resist film thickness.
5 µm holes at 10 µm resist film thickness.
5 µm plated CuNi image.
3.6 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der AZ® 15nXT (450CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (450CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Der AZ® 15nXT (450CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (450CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (450CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (450CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist deutsch
Technisches Datenblatt
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch
Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l
1125nXT10B
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 125nXT-10B
Ultradicker Negativlack für Galvanik
Allgemeine Informationen
Der AZ® 125nXT-10B ist ein i-line empfindlicher, negativer Ultradicklack mit steilen Lackflanken und hohem Aspektverhältnis.
20 µm lines at 60 µm resist film thickness.
15 µm holes at 60 µm resist film thickness.
80 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der ultradicke Negativlack AZ® 125nXT-10B deckt einen Lackschichtdickenbereich von 20 - 50 µm ab und kann mit angepassten Schleuderprofilen auch auf 100 µm und weit darüber aufgebaut und prozessiert werden. Der AZ® 125nXT-10B ist nur i-line empfindlich und benötigt als (für Negativlacke) Besonderheit keinen Post Exposure Bake nach dem Belichten zur Quervernetzung, d. h. der AZ® 125nXT-10B fotopolymerisiert. Durch seine geringe Absorption können auch sehr große Lackschichtdicken problemlos durchbelichtet und steile Lackflanken erzielt werden. Dies und seine sehr gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien machen diesen Lack geeignet für die galvanische Abformung dicker bis sehr dicker Schichten sowie DRIE. Bei - bezogen auf die jeweilige Lackschichtdicke - geringen Lichtdosen oder sehr großen Lackschichtdicken wird das Lackprofil leicht negativ, da die substratnahen Lackbereiche hierbei eine geringere Quervernetzung erfahren. Sollte sich in der Galvanik ein Angriff dieser schwächer quervernetzten Lackbereiche zeigen, eine höhere strukturgebenden Belichtungsdosis aber nicht infrage kommen, kann eine Flutbelichtung (ohne Fotomaske) nach der Entwicklung mit sehr hohen Dosen die Lackflanken auch in Substratnähe stärker quervernetzen, was sich jedoch erschwerend auf das spätere Strippen des Lacks auswirkt. Auch nach einer solchen Flutbelichtung ist kein weiterer Post Exposure Back nötig. Der AZ® 125nXT-10B kann grundsätzlich auch bei Lackschichtdicken kleiner 20 µm prozessiert werden, unterhalb von 10 µm Lackdicke wird die Prozessierung jedoch problematisch: Da beim Softbake aus der Lackoberfläche das für die Quervernetzung verantwortliche Additiv entweicht, werden beim Entwickeln grundsätzlich wenige Mikrometer der belichteten Lackoberfläche abgetragen, was bei dünnen Lackschichten einen entsprechend großen Anteil der Gesamtdicke ausmacht.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 125nXT-10B empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 125nXT-10B grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Der AZ® 125nXT-10B lässt sich mit herkömmlichen Strippern nass-chemisch entfernen, allerdings kann das Strippen sehr dicker quervernetzter Lackstrukturen durchaus eine Herausforderung sein. Falls hierfür organische Lösemittel bevorzugt werden, empfiehlt sich (heißes) DMSO, welches quervernetzte Lacke zwar nicht auflösen, jedoch nach einer gewissen Einwirkdauer vom Substrat ablösen kann. Dieser Vorgang kann beschleunigt werden, indem durch eine geringere Lichtdosis der Quervernetzungsgrad des Lacks in Substratnähe verringert wird. Alternativ empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 125nXT-10B dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l
1A002020
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® nLOF 2020
Negativlack für Lift-off-Anwendungen
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® nLOF 2020 ist mit ca. 2 µm Lackschichtdicke der dünnste Vertreter der vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierten AZ® nLOF 2000er Serie.
700 nm Resist Linien mit dem 2.0 µm dicken AZ® nLOF 2020.*
Produkteigenschaften
Der AZ® nLOF 2020 deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 1.5 - 2.5 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, (leicht) negativ, da die oberen Lackbereiche beim Belichten eine etwas höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Über eine geringere Lichtdosis lässt sich dieser Unterschnitt nur in Grenzen erhöhen, da die geringe Lackschichtdicke im Bereich der Eindringtiefe der Belichtungswellenlänge liegt, demnach auch bei geringen Lichtdosen immer bis zum Substrat durchbelichtet wird. Werden noch dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® nLOF 2020 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt oder die Verwendung des AZ® LNR 003 in Erwägung gezogen werden. Für dickere Schichten empfiehlt sich der AZ® nLOF 2035 (ca. 3 - 4 µm) oder der noch dickere AZ® nLOF 2070 (> 5 µm), beide unterscheiden sich vom AZ® nLOF 2020 nur im Lösemittelanteil.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® nLOF 2020 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der *AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® nLOF 2020 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Removers
Falls die Lackstrukturen durch z. B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® nLOF 2020 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Information AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ NLOF 2035 Photoresist - 3.785 l
1A002035
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® nLOF 2035
Negativlack für Lift-off-Anwendungen
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® nLOF 2035 ist mit ca. 3 - 4 µm Lackschichtdicke ein Vertreter der vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierten AZ® nLOF 2000er Serie.
700 nm Resist Linien, mit dem 3.5 µm dicken AZ® nLOF 2035.
Produkteigenschaften
Der AZ® nLOF 2035 deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 3 - 4 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, deutlich negativ, da die oberen Lackbereiche beim Belichten eine höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Über eine geringere Lichtdosis, in Verbindung mit einem etwas heißeren Post Exposure Bake, lässt sich dieser Unterschnitt in Grenzen erhöhen, um auch kritischere Lift-off Anwendungen zu ermöglichen. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® nLOF 2035 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt oder der AZ® nLOF 2020 eingesetzt werden. Für dickere Schichten empfiehlt sich der AZ® nLOF 2070 (> 5 µm), beide unterscheiden sich vom AZ® nLOF 2035 nur im Lösemittelanteil.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® nLOF 2035 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® nLOF 2035 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Removers
Falls die Lackstrukturen durch z. B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® nLOF 2035 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Information AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ NLOF 2070 - diluted 1:1.33 - 0.5 µm-grade (e-beam) - 5.00 l
20705005
Bottle size:
5.00 l
AZ® nLOF 2070 - verdünnt 1:1,33 - 0,50 µm-grade (e-beam)
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Filmdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Produkt-Eigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2070 E-beam englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 5510 Fotolack - 3.785 l
1055100
AZ® nLOF 5510
Thermisch stabiler Negativlack
Allgemeine Informationen
Das AZ® nLOF 5510 ist ein dünnes, hochauflösendes Negativlack mit hoher thermischer Stabilität. Dieses Resist ist für Single-Layer-Lift-Off-Prozesse sowie für RIE-Ätzen oder Ionenimplantation konzipiert und ist mit TMAH-basierten Developer kompatibel.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 5510 für Schichtdicke 0,8 µm @ 4000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr
Auflösung bis zu 0,25 µm
Kann für Lift-Off-, RIE- oder Implantat-Anwendungen verwendet werden
Developer
Gängige TMAH-basierte Developer werden empfohlen, wie AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 5510 Resist ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien kompatibel ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 5510 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF5510 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 2026 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Puddle-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 2026 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung mit einem Tensid für eine gleichmäßige Substratbenetzung für die Puddle-Entwicklung, ist aber ebenso für die Tauchentwicklung geeignet. Zudem enthält der AZ® 2026 MIF ein Additiv zur Förderung Rückstand freien Entwickeln bei quervernetzten Lackstrukturen. Da dieses Additiv bei Positivlacken den Dunkelabtrag leicht erhöht, ist der AZ® 2026 MIF gerade bei hohen Auflösungsanforderungen für diese Lacke weniger geeignet, hier wäre der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF die bessere Wahl. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 2026 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 2026 MIF: Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). AZ® 2026 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 2026 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung englisch
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 726 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Puddle-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 726 MIF Developer ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung mit einem Tensid für eine gleichmäßige Substratbenetzung für die Puddle-Entwicklung, ist aber ebenso für die Tauchentwicklung geeignet. Für die Sprühentwicklung wäre zur Vermeidung von Schaumbildung der tensidfreie AZ® 326 MIF die bessere Wahl. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert. Bei sehr dünnen Lackschichten (< 1µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 726 MIF Developer mit Wasser zu verdünnen (AZ® 726 MIF : Wasser = 2:1 bis maximal 1:1). Der AZ® 726 MIF Developer greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 326 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Sprüh-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 326 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung ohne weitere Additive. Damit eignet er sich für die Tauch- oder Sprühentwicklung, weniger für die Puddle-Entwicklung, für die der AZ® 726 MIF durch sein spezielles Tensid zur Substratbenetzung die bessere Wahl ist. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 326 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 326 MIF : Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). Der AZ® 326 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ Developer - 5.00 l
1000001
AZ® Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® Developer ist ein auf Natrium-Salzen basierender, Aluminium-kompatibler Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
AZ® Developer basiert auf einer wässrigen Na-Metasilikat/Na-Phosphat-Lösung. Dieser Entwickler zeigt im Gegensatz zu NaOH-, KOH- oder TMAH-basierten Entwicklern keinen signifikanten Aluminium-Angriff und eignet sich für die Entwicklung nicht-chemisch verstärkter Positivlacke. Für dickere Lackschichten oder nicht zu hohen Anforderungen an Auflösung und Steilheit der Lackflanken kann der AZ® Developer unverdünnt eingesetzt werden, für Dünnlacke und höhere Ansprüchen an die Auflösung 1:1 mit Wasser verdünnt. Eine AZ® Developer:Wasser = 2:1 Verdünnung stellt einen guten Kompromiss für viele Anwendungen dar. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke zeigt der AZ® Developer meist keine befriedigenden Ergebnisse. Hierfür empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler, welche jedoch nicht Aluminium-kompatibel sind.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 303 Developer - 5.00 l
1000303
AZ® 303 Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
Der AZ® 303 MIC ist ein auf KOH- und NaOH basierender Entwickler für Positiv- und Negativlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 303 Developer basiert auf einer wässrigen KOH- und NaOH-Lösung und enthält starke Tenside. Er ist kompatibel mit Positiv- und Negativlacken und eignet sich daher z. B. auch als einziger nicht-TMAH-basierter Entwickler für die AZ® nLOF 2000 series. Der AZ® 303 Developer wird üblicherweise 1 : 5 - 1 : 10 mit Wasser verdünnt eingesetzt.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 303 Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555
Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten.
Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 89°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 190°C
Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3
Kompatibilität
TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie:
AZ® nLOF200 Serie
AZ® 15nXT
AZ® 40XT
HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann.
Metalle: greift GaAs an
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip NI555 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 910 - 5.00 l
1000910
AZ® Remover 910
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei.
Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie.
Kompatibilität
Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden.
Es zeigt niedrige Ätzraten auf:
Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen von Fotolack englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung