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AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l

AZ® nLOF 2020 is the industrial standard resist for lift off applications with high reproducibility and yield.

Produktinformationen "AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l"

AZ® nLOF 2020

Dickes Negativ Resist für Lift Off

Allgemeine Informationen

AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.

 700 nm Resist lines attained with the 2.0 µm thick AZ® nLOF 2020..

700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020.

Produkteigenschaften
  • AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm
  • i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
  • Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
  • Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
  • Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
  • Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
  • Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer

Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.

Entferner

Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.

Ausdünnung/Randwulstentfernung

Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch

Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

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AZ® nLOF 2035 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.* Produkteigenschaften AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l
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AZ® nLOF 2070 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
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AZ NLOF 5510 Fotolack - 3.785 l
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AZ® nLOF 5510 Thermisch stabiler Negativlack Allgemeine Informationen Das AZ® nLOF 5510 ist ein dünnes, hochauflösendes Negativlack mit hoher thermischer Stabilität. Dieses Resist ist für Single-Layer-Lift-Off-Prozesse sowie für RIE-Ätzen oder Ionenimplantation konzipiert und ist mit TMAH-basierten Developer kompatibel. Produkteigenschaften AZ® nLOF 5510 für Schichtdicke 0,8 µm @ 4000 rpm i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr Auflösung bis zu 0,25 µm Kann für Lift-Off-, RIE- oder Implantat-Anwendungen verwendet werden Developer Gängige TMAH-basierte Developer werden empfohlen, wie AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 5510 Resist ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien kompatibel ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 5510 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF5510 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

Entwickler

AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der AZ® 2026 MIF Developer zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch TDS: Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Anwednungshinweise: Development of Photoresist english Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der AZ® 2026 MIF Developer zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
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AZ® 326 MIF Developer Metallionenfreier Developer   Allgemeine Informationen AZ® 326 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Sprüh-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio. Produkteigenschaften Der ready-to-use AZ® 326 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung ohne weitere Additive. Damit eignet er sich für die Tauch- oder Sprühentwicklung, weniger für die Puddle-Entwicklung, für die der AZ® 726 MIF durch sein spezielles Tensid zur Substratbenetzung die bessere Wahl ist. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 326 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 326 MIF : Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). Der AZ® 326 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist. Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch Anwendungshinweis: Entwicklung von Fotolack englisch Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ Developer - 5.00 l
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AZ® Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® Developer ist für einen minimalen Al-Angriff optimiert. Es ist eine geruchlose, wässrige, anorganische, alkalische Lösung, die mit Batch- und Inline-Entwicklungsprozessen kompatibel ist. Sie wird in der Regel 1:1 in DI-H2O verdünnt angewendet, um einen hohen Kontrast zu erzielen, oder unverdünnt, um eine hohe Entwicklungsrate zu erreichen. Der Dunkelabtrag von AZ® Developer ist im Vergleich zu anderen Developer etwas höher. AZ® Developer kann in Kombination mit den meisten AZ® Fotolacken verwendet werden (d.h. AZ® 1500, AZ® ECI3000 und AZ® 4500 oder AZ® PL177). AZ® Developer weist von allen AZ® Developer - Typen die niedrigste Aluminium-Ätzrate auf (sie ist mehr oder weniger gleich Null!) und ist ideal für Metallebenen. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack englisch Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 303 Developer - 5.00 l
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AZ® 303 Developer Metallionenhaltiger Developer   Allgemeine Informationen Der AZ® 303 MIC ist ein auf KOH- und NaOH basierender Entwickler für Positiv- und Negativlacke. Produkteigenschaften Der AZ® 303 Developer basiert auf einer wässrigen KOH- und NaOH-Lösung und enthält starke Tenside. Er ist kompatibel mit Positiv- und Negativlacken und eignet sich daher z. B. auch als einziger nicht-TMAH-basierter Entwickler für die AZ® nLOF 2000 series. Der AZ® 303 Developer wird üblicherweise 1 : 5 - 1 : 10 mit Wasser verdünnt eingesetzt.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ ® 303 Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 303 Developer englisch Anwendungshinweis: Entwicklung von Fotolack englisch Entwicklung von Fotolack deutsch

Remover

TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555 Stripper Allgemeine Informationen TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten. Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst. Produkteigenschaften Flammpunkt: 89°C Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 190°C Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3 Kompatibilität TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie: AZ® nLOF200 Serie AZ® 15nXT AZ® 40XT HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann. Metalle: greift GaAs an Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip NI555 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 910 - 5.00 l
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AZ® Remover 910 Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover Allgemeine Informationen AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei. Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie. Kompatibilität Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden. Es zeigt niedrige Ätzraten auf: Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen von Fotolack englisch Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO Dimethylsulfoxid Allgemeine Informationen Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich. HINWEIS: Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter. Produkt-Eigenschaften Dichte: 1,1 g/cm3 Schmelzpunkt: 18°C Siedepunkt: 189°C Flammpunkt: 87°C Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa DMSO Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch Specs: Technische Daten DMSO (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung