AZ LNR-003 diluted - 1:0.3 with PGMEA - 2.50 l

AZ® LNR-003 Negativlack für Lift-off-Anwendungen   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® LNR 003 ist mit ca. 2 - 4 µm Lackschichtdicke ein durch seinen einstellbar starken Unterschnitt vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierter Lack. Produkteigenschaften Der AZ® LNR 003 deckt einen Lackschichtdickenbereich von, je nach Schleuderdrehzahl ca. 2 - 4 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, selbst bei geringen Lackschichtdicken deutlich ausgeprägt negativ, da durch die starke Absorption die oberen Lackbereiche beim Belichten eine wesentlich höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Der Unterschnitt lässt sich in einem relativ großen Bereich über die Lichtdosis (geringere Dosis = stärkerer Unterschnitt) sowie die Dauer Überentwicklung einstellen. Damit lassen sich auch kritische Lift-off Anwendungen (zum Beispiel gesputterte oder dickere Schichten) realisieren. Jedoch ist darauf zu achten, dass ein zu starker Unterschnitt dazu führen kann, dass sich schmale Lackstrukturen bereits beim Entwickeln vom Substrat abheben. Werden noch dünnere Lackschichten gewünscht, kann der LNR 003 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden wozu wir eine entsprechend verdünnte Version (AZ® LNR 003 diluted) anbieten. Für dickere Schichten > 3 µm Lackdicke empfiehlt sich die AZ® nLOF 2000 Reihe. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® LNR 003 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® LNR 003 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® LNR 003 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® LNR-003 englisch Information AZ® LNR-003 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 5209E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Diese spezielle Fotolack ist die dünnere Version der AZ® 5200E Serie, die für Lift-off-Techniken gedacht ist, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Der Reversal-Backvorgang vernetzt die exponierten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Resist Schichtdicke von ~ 0,9 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass die Belichtungsdosis und die Parameter des Reversal Bake optimiert werden müssen. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm Bereich liegt, sind daher dickere Resist wie die AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder die AZ® nLOF 2000 Negativresists eine gute Alternative. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv Resist als auch als Negativ Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,7 - 1,2 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 5214E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative. Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI 35E Fotolack Image Reversal Resist Allgemeine Informationen TI 35E für 2,5 - 5 µm Resist Filmdicke (g-, H- und I-Linie) TI 35E ist ein Image Reversal Resist mit optimierter Haftung, jedoch im Vergleich zu TI 35ESX einer niedrigeren Aufweichungstemperatur. Dadurch ist es besser für nasschemische Ätzverfahren geeignet. Produkt-Eigenschaften Optimierte Resist Adhäsion auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI 35E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt TI 35E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI 35E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI 35ESX Fotolack Image Reversal Resist Allgemeine Informationen Die TI 35 ESX Resist ist speziell für den Einsatz in der so genannten "Image Reversal Technologie" konzipiert für: Nachträgliches Abheben von abgeschiedenen Schichten mit einer Dicke von bis zu 4 µm Plasma-Ätzen Die Viskosität der Resist führt zu einem Dickenbereich je nach Schleudergeschwindigkeit von 2,5 - 3,5 µm. Das typische Aspektverhältnis der erreichbaren strukturierten Merkmale liegt im Bereich von 1,0 - 2,0. Dieses technische Datenblatt soll dir einen Leitfaden für Prozessparameter für verschiedene Anwendungen geben. Die optimalen Werte für z. B. das Schleuderprofil, die Belichtungsdosis oder die Entwicklung hängen jedoch von der jeweiligen Ausrüstung ab und müssen für jede einzelne Anforderung angepasst werden. Aufgrund der erforderlichen zweiten Belichtung wird der Prozessablauf mit einem negativen Resist wie der **AZ® nLof 20xx Serie und könnte eine gute Alternative sein. Produkteigenschaften Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 3,5 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 726 MIF, AZ® 2026 MIF oder AZ® 400K 1:4 auf Basis von gepuffertem KOH. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI-Spray Image Reversal Resist Allgemeine Informationen TI Spray für 1 - 20 µm Resist Schichtdicke (g-, H- und I-Linie) TI Spray ist ein gebrauchsfertiges Spray Resist, dessen geringer Gehalt an niedrig siedendem Lösungsmittel eine glatte Resist Oberfläche auf Kosten einer etwas geringeren Kantenabdeckung durch langsames Trocknen der gebildeten Resist Schicht ermöglicht (Wenn Kantenabdeckung von höchster Bedeutung ist, sollte die Verwendung von AZ® 4999 als gute Alternative in Betracht gezogen werden). Es kann im Positiv- oder im Bildumkehrmodus (negativ) verwendet werden. Es kann sowohl für nasschemische Ätzverfahren als auch für Lift-off-Anwendungen verwendet werden. Produkt-Eigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 20 µm Sehr glatte Resist Schichten nach der Sprühbeschichtung um den Preis eines geringeren Kantenbedeckungspotenzials Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist der KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) ein geeignetes Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI Spray english Sicherheitsdatenblatt TI Spray deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI Spray englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI xLift-X Image Reversal Resist Allgemeine Informationen TI XLift-X ermöglicht Resist Dicken bis zu über 10 µm. Mit zunehmender Resist Dicke wird das Verfahren jedoch immer zeitaufwändiger für die Rehydrierung oder für die Ausgasung des bei der Belichtung gebildeten Stickstoffs. Eine vernünftige Alternative für die meisten Anwendungen wäre daher das AZ® nLOF 2070 negative Resist. 10.5 µm dicker Metallfinger über Lift-off mit TI xLift-X Produkteigenschaften Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 25 µm Developer Wir empfehlen die KOH-basierte AZ® 400K 1:3 - 1:4 verdünnt. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel wie Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI xLift-X englisch Sicherheitsdatenblatt TI xLift-X deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI xLift-X englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung