AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® IPS 6090 is an ultra-high viscosity, chemically amplified positive resist for very high layer thicknesses.
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Produktnummer:
1006090
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l"
AZ® IPS-6090
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line)
Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt.
IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkt-Eigenschaften
- Sehr hohe Auflösung
- Hohes Aspektverhältnis
- Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie
- Gerades Musterprofil und fußfrei
- i-line empfindlich, 330 - 390 nm
- Filmdickenbereich: 30 - 150 µm
- Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess
- Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren
- Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV
- Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung
Developer
Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Informationen AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
| Chemically amplified: | yes |
|---|---|
| Film thickness: | 30.0 – 150.0 µm |
| Film thickness range: | thick (> 5.1µm) |
| High thermal stability: | no |
| Mode: | positive |
| Optimized for: | electroplating |
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AZ 3DT-102M-15 - 3,785 l
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AZ® 3DT-102M-15
Chemisch verstärktes Positiv Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen.
Produkt-Eigenschaften
Steile Seitenwände
Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren
Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung
Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch
Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch)
i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden)
Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm
Developer
Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15.
Ablöser
Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Bottle size:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dickere Lacke für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung.
Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen:
4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA
3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA
2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA
1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA
1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA
Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260.
3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray)
Produkt-Eigenschaften
Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/ Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1500
AZ® 12XT-20PL-15
Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists
Allgemeine Informationen
AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line)Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf.
AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke
Produkt-Eigenschaften
Hohe thermische Stabilität
Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel.
Verdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Bottle size:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkte dicke Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line)
Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden.
Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist.
Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis
Produkteigenschaften
15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF)
Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände
Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden
Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm)
Developer
Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07).
Verdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
1A004533
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4533
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
1A004562
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4562
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Schichten über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Eine Resist Schichtdicke bis zu 30 µm kann durch Einfachbeschichtung mit angepassten Schleuderprofilen (kurze Schleuderzeiten bei mittlerer Schleudergeschwindigkeit) erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden.
Bitte beachten: Resist Schichtdicken > 30 µm Generell kann AZ® 4562 bis zu 30 µm und darüber hinaus beschichtet und verarbeitet werden. Allerdings werden Softbake, Rehydrierung, Belichtung und Entwicklung in diesem Dickenbereich sehr zeitaufwändig. Außerdem kann selbst die recht transparente AZ® 4562 Fotolack bei der Belichtung N2-Blasen bilden, wenn sie zu dick aufgetragen wird. Deshalb empfehlen wir für Resist Schichtdicken > 20 µm dringend das chemisch verstärkte AZ® 40XT.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
1A0P4110
AZ® P4110
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm
Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse
Empfindlich für g-, h- und i-Linie
Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF)
Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316)
Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4620 Photoresist - 3.785 l
1A0P4620
Bottle size:
3.785 l
AZ® P4620
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
1A0P4903
AZ® P4903
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
PL 177 Photoresist - 3.785 l
1A000177
Bottle size:
3.785 l
AZ® PL 177
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® PL 177 ist eine positiv gefärbte Flüssigkeit Fotolack für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist mit einer blau/violetten Farbe eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Sie kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung oder für die Spritz- und Walzenbeschichtung verwendet werden. Aufgrund seiner hervorragenden Haftungseigenschaften und seiner chemischen Stabilität eignet es sich besonders für das nasschemische Ätzen. Es ist ein Allzweckmittel Resist und eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe thermische Stabilität nicht wichtig sind.
Das AZ® PL 177 ist ein preiswerteres Resist für geringere Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit. Mit einer Resist Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min ist eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm möglich.
Produkt-Eigenschaften
Gutes Trocknungsverhalten
Wässrig-alkalische Prozessfähigkeit
PGMEA-basierte Formulierung
Sehr gute Hafteigenschaften auf vielen Arten von Substraten
Blau/violett gefärbt für eine einfache Inspektion
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm
Developer
Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF. AZ Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 93°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1316 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1331 - 5,00 l - MOS
TP1331M
TechniStrip® P1331
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1331 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1331 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Das Remover kann auch in Sprühverfahren verwendet werden.
TechniStrip® P1331 ist für alkaliempfindliche Materialien eine Alternative zum P1316.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 100,5°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.109 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Sehr hohe Abtragsrate, >10µm/min
Hohe Effizienz bei der Harzauflösung
Erhöhte Harzbeladungskapazität, > 2 Mal so hoch wie bei Standard-POR
THB121N, 21µm, 8" Wafer - bis zu 15 Wafer/Liter
Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C
Vollständige Metallverträglichkeit, <10A/min @60°C
Vollständig mit Wasser mischbar
Sicherheit: als reizend eingestuft
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivlacke, wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1331 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung