AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® ECI 3012 is a DNQ based thin positive resist with very high resolution potential for wet and dry etching applications.
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Produktnummer:
1A003012
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l"
AZ® ECI 3012
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann. AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich. Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
*450 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1,2 µm.
Produkt-Eigenschaften
- Sehr hohe Auflösung
- Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
- Steile Resist Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation -Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
- Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch)
- g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
- Resist schichtdickenbereich ca. 0,9 - 1,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie deutsch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
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Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1505 Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1505 ist mit ca. 500 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1505 Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1514 H oder AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Von einer weiteren Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack ist abzuraten, da stark verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1505 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
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Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1512 HS Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1512 HS erzielt bei 4000 U/min ca. 1.3 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1512 HS Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Der AZ® 1512 HS besitzt innerhalb der AZ® 1500er Serie die höchste Fotoinitiator-Konzentration, ist entsprechend kontrastreich, und zeigt eine besonders hohe Entwicklungsrate. Von einer Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack ist abzuraten, da verdünnte, sehr Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1512 HS dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
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Bottle size:
3.785 l
AZ® 1514H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3007 Photoresist - 3.785 l
1A003007
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3007
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,5 - 1 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3027 Photoresist - 3.785 l
1A003027
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3027
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2,7 µm Resist Schichtdicke.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2 - 3,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Fotolack (11 CPS) - 3.785 l
1007011
AZ® MIR 701 (11CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (11CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (11CPS): ca. 0,6 - 1,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Photoresist (14 CPS) - 3.785 l
10070114
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (14CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist ein positiver Dünnlack (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse ist.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Der AZ® 701 MIR (14CPS) erzielt ca. 800 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist und dickere Lackschichten erwünscht, empfiehlt sich der Einsatz der höher-viskosen AZ® 701 MIR (29CPS). Falls erforderlich, lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich in diesem Lackschichtdickenbereich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ MIR 701 Photoresist (29 CPS) - 3.785 l
10070129
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (29CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist ein Positivlack (g-, h-und i-line empfindlich), im mittleren Lackschichtdickenbereich, dessen Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse sind.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Er erzielt ca. 2µm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl. Falls dünnere Schichten bzw. eine höhere Auflösung erwünscht sind, empfiehlt sich der Einsatz der nieder-viskoseren AZ® 701 MIR (14CPS). Alternativ lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l
34000511
AZ® TFP 650
Flat Panel Display Fotolack
Allgemeine Informationen
Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Fotogeschwindigkeit
Geringer Verlust des dunklen Films
Optimierte Resist Haftung
Leichtes Entfernen nach dem Hardbake
Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm
Developer
Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch
Informationen AZ® TFP 650 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 351 B Developer - 5.00 l
1000351
AZ® 351B Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
Der AZ® 351B Developer ist ein mit Borsäure gepufferter, NaOH-basierter Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 351B Developer eignet sich als NaOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung nicht-chemisch verstärkter Positivlacke mit Schichtdicken von wenigen µm. AZ® 351B kommt als Konzentrat und wird üblicherweise 1 : 4 mit Wasser verdünnt. Zur Erhöhung der Selektivität kann auch eine 1 : 5 - 1 : 6 Verdünnung gewählt werden, was jedoch die Entwicklungsrate deutlich verringert und daher bei dickeren Lackschichten keine sinnvolle Option ist. Bei geringen Anforderungen an die Kantensteilheit kann unter der Notwendigkeit höherer Entwicklungsraten der AZ® 351B auch schärfer (1 : 3.5 - 1 : 3) angesetzt werden, was jedoch zu einem überproportionalen Anstieg des Dunkelabtrag führt. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 351B weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 351B greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 351B Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Developer - 5.00 l
1000400
AZ® 400K Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K Developer ist ein mit Borsäure gepufferter, KOH-basierter Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 400K eignet sich als KOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung dickerer nicht-chemisch verstärkter Positivlacke, kann bei nicht zu hohen Anforderungen an die Auflösung jedoch auch für dünnere Lackschichten eingesetzt werden. AZ® 400K kommt als Konzentrat und wird üblicherweise 1 : 4 mit Wasser verdünnt. Zur Erhöhung der Selektivität kann auch eine 1 : 5 - 1 : 6 Verdünnung gewählt werden, was jedoch die Entwicklungsrate deutlich verringert und daher in der Dicklackprozessierung keine sinnvolle Option ist. Für sehr dicke Lackschichten oder/und bei geringen Anforderungen an die Kantensteilheit kann der AZ® 400K auch schärfer (1 : 3.5 - 1 : 3) angesetzt werden, was die Entwicklungsrate erhöht, den Dunkelabtrag aber deutlich stärker zunehmen lässt. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 400K weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 400K greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch
Information AZ® 400K Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Dev 1:4 - 5.00 l
1004145
AZ® 400K Developer 1:4
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K Developer 1:4 ist ein mit Borsäure gepufferter, KOH-basierter ready-to-use Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 400K 1:4 ist ein für den Gebrauch bereits vorverdünnter AZ® 400K. Dieser Entwickler eignet sich als KOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung dickerer nicht-chemisch verstärkter Positivlacke, kann bei nicht zu hohen Anforderungen an die Auflösung jedoch auch für dünnere Lackschichten eingesetzt werden. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 400K weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 400K greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Information AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 326 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Sprüh-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 326 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung ohne weitere Additive. Damit eignet er sich für die Tauch- oder Sprühentwicklung, weniger für die Puddle-Entwicklung, für die der AZ® 726 MIF durch sein spezielles Tensid zur Substratbenetzung die bessere Wahl ist. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 326 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 326 MIF : Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). Der AZ® 326 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 726 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Puddle-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 726 MIF Developer ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung mit einem Tensid für eine gleichmäßige Substratbenetzung für die Puddle-Entwicklung, ist aber ebenso für die Tauchentwicklung geeignet. Für die Sprühentwicklung wäre zur Vermeidung von Schaumbildung der tensidfreie AZ® 326 MIF die bessere Wahl. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert. Bei sehr dünnen Lackschichten (< 1µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 726 MIF Developer mit Wasser zu verdünnen (AZ® 726 MIF : Wasser = 2:1 bis maximal 1:1). Der AZ® 726 MIF Developer greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 93°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1316 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung