AZ 5214-E Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® 5214E is a multi functional image reversal resist for lift off application, that can be used as a positive or as a negative resist.
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Produktnummer:
1005214EJP
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 5214-E Photoresist - 3.785 l"
AZ® 5214E
Image Reversal Resist für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative.
Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht.
Produkteigenschaften
- Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist
- Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
- Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
- Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
- h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm)
- Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
- Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
| Chemically amplified: | no |
|---|---|
| Film thickness: | 1.0 - 1.8 µm |
| Film thickness range: | medium (1.6 - 5.0µm), thin (< 1.5µm) |
| High thermal stability: | yes |
| Mode: | image reversal, positive |
| Optimized for: | dry etching, lift-off |
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AZ® 5209E
Image Reversal Resist für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Diese spezielle Fotolack ist die dünnere Version der AZ® 5200E Serie, die für Lift-off-Techniken gedacht ist, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Der Reversal-Backvorgang vernetzt die exponierten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Resist Schichtdicke von ~ 0,9 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass die Belichtungsdosis und die Parameter des Reversal Bake optimiert werden müssen. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm Bereich liegt, sind daher dickere Resist wie die AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder die AZ® nLOF 2000 Negativresists eine gute Alternative.
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv Resist als auch als Negativ Resist
Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,7 - 1,2 µm
Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5-Verdünnung empfohlen) Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ LNR-003 - 3.785 l
100LNR003
Bottle size:
3.785 l
AZ® LNR-003
Negativ Resist für Lift-off-Anwendungen
Allgemeine Informationen
AZ® LNR-003 ist ein negatives Resist für Schichtdicken von ca. 3 - 5 µm (verdünnt bis zu 1 µm), das einen einstellbaren und starken Unterschnitt (negatives Resist Profil) auch bei kleinen Resist Schichtdicken für auch anspruchsvolle Lift-off-Anwendungen ermöglicht. Seine hohe thermische Stabilität verhindert ein thermisches Aufschmelzen während der Beschichtung und sorgt so für reproduzierbare Lift-off-Ergebnisse.
Produkt-Eigenschaften
Hohe Auflösung
Sehr starker Unterschnitt, für Lift-Off
Kompatibel mit TMAH-basierten Developer, andere Developer sind möglich
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 3 - 5 µm
Hohe thermische Stabilität
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 2026 MIF, AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. Andere NaOH- oder KOH-basierte Developer sind generell möglich.
Entferner
Wir empfehlen die NMP-freien Entferner wie AZ® 910 Remover oder TechniStrip NI555 oder, bei alkaliempfindlichen Materialien wie Aluminium, TechniStrip MLO07, die beide auch vernetzte Resist Filme auflösen können.
Verdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® LNR-003 englisch
Informationen AZ® LNR-003 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI 35 E - 5.00 l
1035005
Bottle size:
5.00 l
TI 35E Fotolack
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
TI 35E für 2,5 - 5 µm Resist Filmdicke (g-, H- und I-Linie)
TI 35E ist ein Image Reversal Resist mit optimierter Haftung, jedoch im Vergleich zu TI 35ESX einer niedrigeren Aufweichungstemperatur. Dadurch ist es besser für nasschemische Ätzverfahren geeignet.
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Adhäsion auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI 35E Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt TI 35E Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI 35E Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI 35 ESX - 5.00 l
1035005X
Bottle size:
5.00 l
TI 35ESX Fotolack
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
Die TI 35 ESX Resist ist speziell für den Einsatz in der so genannten "Image Reversal Technologie" konzipiert für:
Nachträgliches Abheben von abgeschiedenen Schichten mit einer Dicke von bis zu 4 µm
Plasma-Ätzen
Die Viskosität der Resist führt zu einem Dickenbereich je nach Schleudergeschwindigkeit von 2,5 - 3,5 µm. Das typische Aspektverhältnis der erreichbaren strukturierten Merkmale liegt im Bereich von 1,0 - 2,0. Dieses technische Datenblatt soll dir einen Leitfaden für Prozessparameter für verschiedene Anwendungen geben. Die optimalen Werte für z. B. das Schleuderprofil, die Belichtungsdosis oder die Entwicklung hängen jedoch von der jeweiligen Ausrüstung ab und müssen für jede einzelne Anforderung angepasst werden.
Aufgrund der erforderlichen zweiten Belichtung wird der Prozessablauf mit einem negativen Resist wie der **AZ® nLof 20xx Serie und könnte eine gute Alternative sein.
Produkteigenschaften
Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 3,5 µm
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 726 MIF, AZ® 2026 MIF oder AZ® 400K 1:4 auf Basis von gepuffertem KOH.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI 35ESX Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI Spray - 5.00 l
1030050n
Bottle size:
5.00 l
TI-Spray
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
TI Spray für 1 - 20 µm Resist Schichtdicke (g-, H- und I-Linie)
TI Spray ist ein gebrauchsfertiges Spray Resist, dessen geringer Gehalt an niedrig siedendem Lösungsmittel eine glatte Resist Oberfläche auf Kosten einer etwas geringeren Kantenabdeckung durch langsames Trocknen der gebildeten Resist Schicht ermöglicht (Wenn Kantenabdeckung von höchster Bedeutung ist, sollte die Verwendung von AZ® 4999 als gute Alternative in Betracht gezogen werden).
Es kann im Positiv- oder im Bildumkehrmodus (negativ) verwendet werden. Es kann sowohl für nasschemische Ätzverfahren als auch für Lift-off-Anwendungen verwendet werden.
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 20 µm
Sehr glatte Resist Schichten nach der Sprühbeschichtung um den Preis eines geringeren Kantenbedeckungspotenzials
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist der KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) ein geeignetes Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI Spray english
Sicherheitsdatenblatt TI Spray deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI Spray englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI XLiftX - 5.00 l
10800X5
Bottle size:
5.00 l
TI xLift-X
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
TI XLift-X ermöglicht Resist Dicken bis zu über 10 µm. Mit zunehmender Resist Dicke wird das Verfahren jedoch immer zeitaufwändiger für die Rehydrierung oder für die Ausgasung des bei der Belichtung gebildeten Stickstoffs. Eine vernünftige Alternative für die meisten Anwendungen wäre daher das AZ® nLOF 2070 negative Resist.
10.5 µm dicker Metallfinger über Lift-off mit TI xLift-X
Produkteigenschaften
Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 25 µm
Developer
Wir empfehlen die KOH-basierte AZ® 400K 1:3 - 1:4 verdünnt.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel wie Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI xLift-X englisch
Sicherheitsdatenblatt TI xLift-X deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI xLift-X englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 351 B Developer - 5.00 l
1000351
AZ® 351B Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 351B Developer basiert auf gepuffertem NaOH und wird normalerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. die 1:3-Verdünnung ist die Hochgeschwindigkeitslösung, während die 1:4-Verdünnung für eine Hochkontrastlösung verwendet wird. Es kann besonders für unsere dünneren Resist Typen verwendet werden, wie z.B. AZ® 1500 Serie Resists oder Bildumkehrresists wie AZ® 5200E Resist Serie.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 351B Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Developer - 5,00 l
1000400
AZ® 400K Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K MIC basiert auf gepufferter KOH und wird in der Regel in einer Verdünnung von 1:3 bis 1:4 (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. Es eignet sich besonders für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT. Zusätzlich zum Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch
Informationen AZ® 400K Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Dev 1:4 - 5.00 l
1004145
AZ® 400K Developer 1:4
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
Neben dem Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage.
AZ® 400K MIC Developer basiert auf gepufferter KOH und wird typischerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile DI-Wasser) verwendet und kann vor allem für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT, verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Information AZ® 400K 1:4 Developer deutsch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 93°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1316 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 920 - 5,00 l
1000920
AZ® Remover 920
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten.
Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad).
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 84,4°C
Viskosität (20°C): 1.84 cSt
Siedepunkt: 188°C
Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Substrate: Si, SiO2, GaAs
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern
Breite Kompatibilität
Umweltfreundlich
Einige Anwendungen
Bulk Fotolack Entfernung
Metall-Lift-off-Lithografie
Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger
RDL-Metallisierungsreinigungen
Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Entfernen von Fotolack deutsch