AZ 15nXT Photoresist (450cps) - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® 15nXT (450CPS) is a chemically amplified resist with high thermal stability for plating and dry etching applications.
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Produktnummer:
15nXT3
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 15nXT Photoresist (450cps) - 3.785 l"
AZ® 15nXT (450CPS)
Negativ Dicklack für die Galvanik
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (450CPS) ist mit ca. 5 - 10 µm ein Dicklack mit senkrechten Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik.
5 µm lines at 10 µm resist film thickness.
5 µm holes at 10 µm resist film thickness.
5 µm plated CuNi image.
3.6 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der AZ® 15nXT (450CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (450CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Der AZ® 15nXT (450CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (450CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (450CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (450CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist deutsch
Technisches Datenblatt
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch
Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
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Dicker Negativlack für die Galvanik
Allgemeine Informationen
Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (115CPS) ist mit ca. 3 - 5 µm ein Dicklack mit sehr steilen Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik.
5 µm lines at 10 µm resist film thickness.
5 µm holes at 10 µm resist film thickness.
5 µm plated CuNi image.
3.6 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der AZ® 15nXT (115CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 2 - 3 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern sehr senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (115CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden, für dickere Schichten empfiehlt sich der höher viskose AZ® 15nXT (450CPS). Der AZ® 15nXT (115CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (115CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (115CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (115CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
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1125nXT10B
Gebindegröße:
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AZ® 125nXT-10B
Ultradicker Negativlack für Galvanik
Allgemeine Informationen
Der AZ® 125nXT-10B ist ein i-line empfindlicher, negativer Ultradicklack mit steilen Lackflanken und hohem Aspektverhältnis.
20 µm lines at 60 µm resist film thickness.
15 µm holes at 60 µm resist film thickness.
80 µm plated CuNi image.
Produkteigenschaften
Der ultradicke Negativlack AZ® 125nXT-10B deckt einen Lackschichtdickenbereich von 20 - 50 µm ab und kann mit angepassten Schleuderprofilen auch auf 100 µm und weit darüber aufgebaut und prozessiert werden. Der AZ® 125nXT-10B ist nur i-line empfindlich und benötigt als (für Negativlacke) Besonderheit keinen Post Exposure Bake nach dem Belichten zur Quervernetzung, d. h. der AZ® 125nXT-10B fotopolymerisiert. Durch seine geringe Absorption können auch sehr große Lackschichtdicken problemlos durchbelichtet und steile Lackflanken erzielt werden. Dies und seine sehr gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien machen diesen Lack geeignet für die galvanische Abformung dicker bis sehr dicker Schichten sowie DRIE. Bei - bezogen auf die jeweilige Lackschichtdicke - geringen Lichtdosen oder sehr großen Lackschichtdicken wird das Lackprofil leicht negativ, da die substratnahen Lackbereiche hierbei eine geringere Quervernetzung erfahren. Sollte sich in der Galvanik ein Angriff dieser schwächer quervernetzten Lackbereiche zeigen, eine höhere strukturgebenden Belichtungsdosis aber nicht infrage kommen, kann eine Flutbelichtung (ohne Fotomaske) nach der Entwicklung mit sehr hohen Dosen die Lackflanken auch in Substratnähe stärker quervernetzen, was sich jedoch erschwerend auf das spätere Strippen des Lacks auswirkt. Auch nach einer solchen Flutbelichtung ist kein weiterer Post Exposure Back nötig. Der AZ® 125nXT-10B kann grundsätzlich auch bei Lackschichtdicken kleiner 20 µm prozessiert werden, unterhalb von 10 µm Lackdicke wird die Prozessierung jedoch problematisch: Da beim Softbake aus der Lackoberfläche das für die Quervernetzung verantwortliche Additiv entweicht, werden beim Entwickeln grundsätzlich wenige Mikrometer der belichteten Lackoberfläche abgetragen, was bei dünnen Lackschichten einen entsprechend großen Anteil der Gesamtdicke ausmacht.
Entwickler
Zur Entwicklung des AZ® 125nXT-10B empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 125nXT-10B grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden.
Remover
Der AZ® 125nXT-10B lässt sich mit herkömmlichen Strippern nass-chemisch entfernen, allerdings kann das Strippen sehr dicker quervernetzter Lackstrukturen durchaus eine Herausforderung sein. Falls hierfür organische Lösemittel bevorzugt werden, empfiehlt sich (heißes) DMSO, welches quervernetzte Lacke zwar nicht auflösen, jedoch nach einer gewissen Einwirkdauer vom Substrat ablösen kann. Dieser Vorgang kann beschleunigt werden, indem durch eine geringere Lichtdosis der Quervernetzungsgrad des Lacks in Substratnähe verringert wird. Alternativ empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 125nXT-10B dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l
1A002020
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2020
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2035 Photoresist - 3.785 l
1A002035
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2035
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.*
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l
1A002070
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® nLOF 2070
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 - diluted 1:1.33 - 0.5 µm-grade (e-beam) - 5.00 l
20705005
Bottle size:
5.00 l
AZ® nLOF 2070 - verdünnt 1:1,33 - 0,50 µm-grade (e-beam)
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Filmdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Produkt-Eigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2070 E-beam englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 5510 Fotolack - 3.785 l
1055100
AZ® nLOF 5510
Thermisch stabiler Negativlack
Allgemeine Informationen
Das AZ® nLOF 5510 ist ein dünnes, hochauflösendes Negativlack mit hoher thermischer Stabilität. Dieses Resist ist für Single-Layer-Lift-Off-Prozesse sowie für RIE-Ätzen oder Ionenimplantation konzipiert und ist mit TMAH-basierten Developer kompatibel.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 5510 für Schichtdicke 0,8 µm @ 4000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr
Auflösung bis zu 0,25 µm
Kann für Lift-Off-, RIE- oder Implantat-Anwendungen verwendet werden
Developer
Gängige TMAH-basierte Developer werden empfohlen, wie AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 5510 Resist ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien kompatibel ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 5510 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF5510 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält
der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche
Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Anwednungshinweise:
Development of Photoresist english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 326 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Sprüh-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 326 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung ohne weitere Additive. Damit eignet er sich für die Tauch- oder Sprühentwicklung, weniger für die Puddle-Entwicklung, für die der AZ® 726 MIF durch sein spezielles Tensid zur Substratbenetzung die bessere Wahl ist. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 326 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 326 MIF : Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). Der AZ® 326 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555
Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten.
Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 89°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 190°C
Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3
Kompatibilität
TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie:
AZ® nLOF200 Serie
AZ® 15nXT
AZ® 40XT
HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann.
Metalle: greift GaAs an
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip NI555 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 910 - 5.00 l
1000910
AZ® Remover 910
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei.
Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie.
Kompatibilität
Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden.
Es zeigt niedrige Ätzraten auf:
Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen von Fotolack englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung