AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l

AZ® 3DT-102M-15 Chemisch verstärktes Positiv Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen. Produkt-Eigenschaften Steile Seitenwände Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch) i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden) Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm Developer Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15. Ablöser Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 10XT (520CPS) Dickere Lacke für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung. Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen: 4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA 3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA 2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA 1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA 1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260. 3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray) Produkt-Eigenschaften Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/ Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 40XT Chemisch verstärkte dicke Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line) Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden. Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist. Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis Produkteigenschaften 15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF) Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm) Developer Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07). Verdünnen/Entfernen von Randwülsten Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 4533 Dicke Resists mit optimierter Haftung Allgemeine Informationen Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 4562 Dicke Resists mit optimierter Haftung Allgemeine Informationen Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Schichten über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate. Eine Resist Schichtdicke bis zu 30 µm kann durch Einfachbeschichtung mit angepassten Schleuderprofilen (kurze Schleuderzeiten bei mittlerer Schleudergeschwindigkeit) erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Bitte beachten: Resist Schichtdicken > 30 µm Generell kann AZ® 4562 bis zu 30 µm und darüber hinaus beschichtet und verarbeitet werden. Allerdings werden Softbake, Rehydrierung, Belichtung und Entwicklung in diesem Dickenbereich sehr zeitaufwändig. Außerdem kann selbst die recht transparente AZ® 4562 Fotolack bei der Belichtung N2-Blasen bilden, wenn sie zu dick aufgetragen wird. Deshalb empfehlen wir für Resist Schichtdicken > 20 µm dringend das chemisch verstärkte AZ® 40XT. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® IPS-6090 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt. IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke) Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Hohes Aspektverhältnis Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie Gerades Musterprofil und fußfrei i-line empfindlich, 330 - 390 nm Filmdickenbereich: 30 - 150 µm Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung Developer Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch Informationen AZ® IPS-6090 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® P4110 Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620 Allgemeine Informationen Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden. Produkteigenschaften Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse Empfindlich für g-, h- und i-Linie Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF) Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316) Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch Informationen AZ® P400 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® P4620 Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620 Allgemeine Informationen Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden. AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung) Produkt-Eigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch Informationen AZ® P400 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® P4903 Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620 Allgemeine Informationen Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch Informationen AZ® P400 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® PL 177 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® PL 177 ist eine positiv gefärbte Flüssigkeit Fotolack für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist mit einer blau/violetten Farbe eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Sie kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung oder für die Spritz- und Walzenbeschichtung verwendet werden. Aufgrund seiner hervorragenden Haftungseigenschaften und seiner chemischen Stabilität eignet es sich besonders für das nasschemische Ätzen. Es ist ein Allzweckmittel Resist und eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe thermische Stabilität nicht wichtig sind. Das AZ® PL 177 ist ein preiswerteres Resist für geringere Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit. Mit einer Resist Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min ist eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm möglich. Produkt-Eigenschaften Gutes Trocknungsverhalten Wässrig-alkalische Prozessfähigkeit PGMEA-basierte Formulierung Sehr gute Hafteigenschaften auf vielen Arten von Substraten Blau/violett gefärbt für eine einfache Inspektion Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm Developer Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF. AZ Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung