AZ 12XT-20PL-10 Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
The AZ® 12XT-20PL-10 is a resist with high thermal stability very good suited for TSV and dry etching applications.
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Produktnummer:
1A012XT1000
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 12XT-20PL-10 Photoresist - 3.785 l"
AZ® 12XT-20PL-10
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
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AZ 3DT-102M-15 - 3,785 l
13DT102153
AZ® 3DT-102M-15
Chemisch verstärktes Positiv Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen.
Produkt-Eigenschaften
Steile Seitenwände
Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren
Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung
Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch
Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch)
i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden)
Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm
Developer
Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15.
Ablöser
Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkter Dicklack
General Information
Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose
Produkteigenschaften
Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
1A004533
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4533
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
1A004562
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4562
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Schichten über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Eine Resist Schichtdicke bis zu 30 µm kann durch Einfachbeschichtung mit angepassten Schleuderprofilen (kurze Schleuderzeiten bei mittlerer Schleudergeschwindigkeit) erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden.
Bitte beachten: Resist Schichtdicken > 30 µm Generell kann AZ® 4562 bis zu 30 µm und darüber hinaus beschichtet und verarbeitet werden. Allerdings werden Softbake, Rehydrierung, Belichtung und Entwicklung in diesem Dickenbereich sehr zeitaufwändig. Außerdem kann selbst die recht transparente AZ® 4562 Fotolack bei der Belichtung N2-Blasen bilden, wenn sie zu dick aufgetragen wird. Deshalb empfehlen wir für Resist Schichtdicken > 20 µm dringend das chemisch verstärkte AZ® 40XT.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
1006090
Bottle size:
3.785 l
AZ® IPS-6090
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt.
IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Hohes Aspektverhältnis
Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie
Gerades Musterprofil und fußfrei
i-line empfindlich, 330 - 390 nm
Filmdickenbereich: 30 - 150 µm
Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess
Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren
Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV
Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung
Developer
Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Informationen AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
1A0P4110
AZ® P4110
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm
Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse
Empfindlich für g-, h- und i-Linie
Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF)
Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316)
Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4620 Photoresist - 3.785 l
1A0P4620
Bottle size:
3.785 l
AZ® P4620
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
1A0P4903
AZ® P4903
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
PL 177 Photoresist - 3.785 l
1A000177
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® PL 177
Positiv Dicklack
Allgemeine Informationen
AZ® PL 177 ist ein positiv gefärbter flüssiger Fotolack, der für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken entwickelt wurde, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist in Blau/Violett eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Der Fotolack kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung sowie für Spritz- und Walzenbeschichtungen verwendet werden. Aufgrund seiner ausgezeichneten Haftungseigenschaften und chemischen Stabilität eignet er sich besonders gut für das nasschemische Ätzen. Es handelt sich um einen Allzweck-Fotolack, der für Anwendungen geeignet ist, bei denen eine hohe Auflösung und hohe thermische Stabilität nicht erforderlich sind. AZ® PL 177 ist ein kostengünstigerer Fotolack, der für Anwendungen mit geringeren Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit geeignet ist. Bei einer Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min kann eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm erreicht werden.
Produkt-Eigenschaften
Gutes Trocknungsverhalten
Wasser-alkalische Verarbeitbarkeit
PGMEA-basierte Formulierung (PGMEA steht für Propylenglykolmonomethyletheracetat)
Sehr gute Haftungseigenschaften auf vielen Substrattypen
Blau/violett eingefärbt für einfache Inspektion
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wasseralkalischen Lösungen)
Empfindlich gegenüber g-, h- und i-Linien (ca. 320 - 440 nm)
Resist-Schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm
Entwickler
Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF, AZ® Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden.
Removers
Für nicht vernetzte Fotolacke können der AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Fotolack vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturprozesse > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir den NMP-freien TechniStrip P1316 als Stripper.
Der AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um stark behandelte oder schwer zu entfernende Resistreste handelt.
Verdünnung / Randwallentfernung
Für die Verdünnung und Randwallentfernung empfehlen wir den AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. Auch das AZ® EBR 70/30 Solvent ist für die Randwallentfernung geeignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
Entwickler
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 326 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Sprüh-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 326 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung ohne weitere Additive. Damit eignet er sich für die Tauch- oder Sprühentwicklung, weniger für die Puddle-Entwicklung, für die der AZ® 726 MIF durch sein spezielles Tensid zur Substratbenetzung die bessere Wahl ist. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 326 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 326 MIF : Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). Der AZ® 326 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei quervernetzenden Negativlacken kann sich der AZ® 2026 MIF als vorteilhaft erweisen, welcher durch bestimmte Additive bei diesen Lacken ein rückstandsfreies Entwickeln fördert.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält
der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche
Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Anwednungshinweise:
Development of Photoresist english
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
AZ Remover 920 - 5,00 l
1000920
AZ® Remover 920
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten.
Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad).
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 84,4°C
Viskosität (20°C): 1.84 cSt
Siedepunkt: 188°C
Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Substrate: Si, SiO2, GaAs
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern
Breite Kompatibilität
Umweltfreundlich
Einige Anwendungen
Bulk Fotolack Entfernung
Metall-Lift-off-Lithografie
Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger
RDL-Metallisierungsreinigungen
Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch