AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® 125nXT-10B is an ultra high viscosity resist for very high thickness levels and for plating applications.
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Produktnummer:
1125nXT10B
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l"
AZ® 125nXT-10B
Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line) Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden.
20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke.
15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke.
80 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
- 30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
- Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich
- Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF)
- Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung
- Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
- Sehr gute Haftung, kein Underplating
- Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316)
- Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07.
Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
| Chemically amplified: | no |
|---|---|
| Film thickness: | 30 - 100 µm |
| Film thickness range: | thick (> 5.1µm) |
| High thermal stability: | no |
| Mode: | negative |
| Optimized for: | electroplating |
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AZ® 15nXT (450CPS)
Dickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen.
5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm plattiertes CuNi-Bild.
3.6 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF
Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung
Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, ..
Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, ..
Standard-Nassentschichtungsverfahren
Nahezu vertikale Seitenwandwinkel
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch
Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l
1125nXT10B
Bottle size:
3.785 l
AZ® 125nXT-10B
Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden.
20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke.
15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke.
80 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich
Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF)
Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung
Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
Sehr gute Haftung, kein Underplating
Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316)
Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07.
Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l
1A002020
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2020
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2035 Photoresist - 3.785 l
1A002035
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2035
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.*
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l
1A002070
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® nLOF 2070
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 - diluted 1:1.33 - 0.5 µm-grade (e-beam) - 5.00 l
20705005
Bottle size:
5.00 l
AZ® nLOF 2070 - verdünnt 1:1,33 - 0,50 µm-grade (e-beam)
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Filmdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Produkt-Eigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2070 E-beam englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 5510 Fotolack - 3.785 l
1055100
AZ® nLOF 5510
Thermisch stabiler Negativlack
Allgemeine Informationen
Das AZ® nLOF 5510 ist ein dünnes, hochauflösendes Negativlack mit hoher thermischer Stabilität. Dieses Resist ist für Single-Layer-Lift-Off-Prozesse sowie für RIE-Ätzen oder Ionenimplantation konzipiert und ist mit TMAH-basierten Developer kompatibel.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 5510 für Schichtdicke 0,8 µm @ 4000 rpm
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr
Auflösung bis zu 0,25 µm
Kann für Lift-Off-, RIE- oder Implantat-Anwendungen verwendet werden
Developer
Gängige TMAH-basierte Developer werden empfohlen, wie AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 5510 Resist ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien kompatibel ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 5510 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF5510 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF5510 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält
der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche
Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Anwednungshinweise:
Development of Photoresist english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 726 MIF Developer - 5.00 l
1000726
AZ® 726 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 726MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 726MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 326 MIF Developer - 5.00 l
1000326
AZ® 326 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
Remover
TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555
Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten.
Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 89°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 190°C
Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3
Kompatibilität
TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie:
AZ® nLOF200 Serie
AZ® 15nXT
AZ® 40XT
HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann.
Metalle: greift GaAs an
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip NI555 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 910 - 5.00 l
1000910
AZ® Remover 910
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei.
Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie.
Kompatibilität
Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden.
Es zeigt niedrige Ätzraten auf:
Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen von Fotolack englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung